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Chroma Model 19501局部放電測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述:Chroma Model 19501局部放電測(cè)試儀,Model 19501 可提供交流耐電壓測(cè)試(Hipot Test),測(cè)量待測(cè)物的漏電流(Leakage Current)與電氣閃絡(luò)(Flashover),同時(shí)提供局部放電(Partial Discharge, PD)測(cè)量功能,檢測(cè)待測(cè)物上局部放電的電荷量(單位:皮庫,pC)?,F(xiàn)在熱賣中,如需購買,可通過愛儀器儀表的客服熱線聯(lián)系我們!

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-12-05
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產(chǎn)品詳情

Chroma Model 19501 局部放電測(cè)試儀,Model 19501 可提供交流耐電壓測(cè)試(Hipot Test),測(cè)量待測(cè)物的漏電流(Leakage Current)與電氣閃絡(luò)(Flashover),同時(shí)提供局部放電(Partial Discharge, PD)測(cè)量功能,檢測(cè)待測(cè)物上局部放電的電荷量(單位:皮庫,pC)。Chroma Model 19501局部放電測(cè)試儀現(xiàn)在熱賣中,如需購買,可通過愛儀器儀表的客服熱線聯(lián)系我們!

Chroma Model 19501局部放電測(cè)試儀


Chroma Model 19501局部放電測(cè)試儀介紹
致茂(Chroma)19501 局部放電測(cè)試儀可提供交流耐電壓測(cè)試(Hipot Test),測(cè)量待測(cè)物的漏電流(Leakage Current)與電氣閃絡(luò)(Flashover),同時(shí)提供局部放電(Partial Discharge, PD)測(cè)量功能,檢測(cè)待測(cè)物上局部放電的電荷量(單位:皮庫,pC)。對(duì)高壓元件與高耐壓絕緣材料進(jìn)行交流耐電壓與局部放電測(cè)試,能確保產(chǎn)品的絕緣品質(zhì)并提升產(chǎn)品可靠性。
19501 的設(shè)計(jì)符合 IEC60270 標(biāo)準(zhǔn)對(duì)局部放電測(cè)量的要求,局部放電量的測(cè)量結(jié)果以直觀的電荷數(shù)(pC)顯示在主機(jī)屏幕上。同時(shí),該儀器還參考了 IEC60747 與 VDE0884 標(biāo)準(zhǔn)的要求,將測(cè)試方法內(nèi)置于儀器中,方便用戶操作與設(shè)定。
當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Air gap)時(shí),在正常工作電壓下,氣泡或氣隙會(huì)因電場(chǎng)強(qiáng)度較高而可能引發(fā)局部放電(PD)。若電源系統(tǒng)的應(yīng)用元件(如光耦合器、數(shù)字隔離器、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、變壓器、電機(jī)等)長(zhǎng)時(shí)間發(fā)生持續(xù)性局部放電,絕緣材料會(huì)逐漸劣化,*終導(dǎo)致絕緣失效,進(jìn)而引發(fā)人身安全問題。因此,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)建議或要求對(duì)這類元件執(zhí)行局部放電檢測(cè)。例如,IEC60747-5-5 標(biāo)準(zhǔn)要求光耦合器在生產(chǎn)過程中的例行測(cè)試(Routine test)階段必須 * 執(zhí)行局部放電(PD)檢測(cè),在*大絕緣電壓條件下,局部放電量不得超過 5pC,以確保產(chǎn)品在正常工作電壓下不會(huì)發(fā)生局部放電(PD)。

Model 19501 局部放電測(cè)試儀特點(diǎn)
交流高壓輸出與 PD 測(cè)量采用主機(jī)分離式設(shè)計(jì)
內(nèi)置符合標(biāo)準(zhǔn)要求的測(cè)試方法
三段電壓測(cè)試方法
PD 測(cè)量結(jié)果以數(shù)值形式顯示(單位:pC)
可設(shè)定 PD 不良發(fā)生次數(shù)判定閾值(1-10 次)
USB 畫面擷取功能
圖形化輔助編輯功能
標(biāo)準(zhǔn) LAN、USB、RS232 遠(yuǎn)程控制接口
支持繁體中文 / 簡(jiǎn)體中文 / 英文操作界面

電氣放電理論說明
局部放電(Partial Discharge)
當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Air gap)時(shí),在正常工作電壓下,氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電,導(dǎo)致絕緣劣化,造成絕緣品質(zhì)異常。為何局部放電易發(fā)生在樹脂內(nèi)的氣泡或漆包線間的氣隙?這是因?yàn)榭諝獾慕殡娤禂?shù)較低,氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料小,因此會(huì)分配到相對(duì)更高比例的電壓;且在相同間隙距離條件下,氣泡或氣隙的崩潰電壓低于絕緣材料。這類發(fā)生于氣泡或氣隙等局部瑕疵,但與之串聯(lián)的絕緣材料仍維持正常狀態(tài)的放電現(xiàn)象,稱為局部放電。
對(duì)待測(cè)物施加足夠的測(cè)試電壓時(shí),可利用局部放電偵測(cè)功能測(cè)量放電電荷量(pC),確認(rèn)待測(cè)物的絕緣材料是否存在絕緣品質(zhì)異常的潛在風(fēng)險(xiǎn)。因此,通常會(huì)施加一個(gè)略高于元件*高額定工作電壓的電壓進(jìn)行局部放電測(cè)試,以確保元件在正常工作電壓下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的可靠性(無持續(xù)性局部放電)。

應(yīng)用說明
功率元件中的 IGBT 與 SiC-MOSFET 等被廣泛應(yīng)用于各類領(lǐng)域(如電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備、航空航天、鐵路設(shè)備、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等),且常被用于高功率 / 大電流的電源轉(zhuǎn)換 / 控制線路,工作電壓通常為數(shù)千伏特。由于這類元件需要頻繁切換導(dǎo)通(ON)/ 關(guān)斷(OFF)狀態(tài),模塊中的柵極(Gate)與集電極(Collector)或漏極(Drain)之間,以及模塊與散熱板之間會(huì)出現(xiàn)脈沖寬度調(diào)制(PWM)高電壓差。當(dāng)高電壓跨越含有氣泡、氣隙或裂縫的絕緣材料時(shí),極有可能發(fā)生局部放電;經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間工作后,絕緣材料會(huì)逐漸劣化,*終導(dǎo)致絕緣失效,造成產(chǎn)品損壞。
此外,每個(gè)模塊的柵極(Gate)與發(fā)射極(Emitter)或源極(Source)之間的工作偏壓可能由各自的變壓器提供,而變壓器的一次側(cè)與二次側(cè)之間也會(huì)存在高頻高電壓差。若變壓器一次側(cè)與二次側(cè)的絕緣能力不足,持續(xù)性異常放電的突波可能導(dǎo)致數(shù)字控制動(dòng)作異常及晶體管故障。盡管變壓器使用的線材本身可能具備足夠的耐壓能力(如耐壓 3000V 的線材),但當(dāng)一次側(cè)與二次側(cè)的線圈相鄰過近或貼合時(shí),看似線材之間可承受較高耐壓(如 6000V),實(shí)際在一般電壓(如 1000V)下工作一段時(shí)間后*可能發(fā)生故障。這是因?yàn)榫€材絕緣皮的介電系數(shù)遠(yuǎn)大于空氣,導(dǎo)致空氣間隙的跨電壓 / 分壓比例相對(duì)較高;當(dāng)線材之間空氣間隙的跨電壓達(dá)到 > 350V(1 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下空氣*短距離所需的放電起始電壓)時(shí),線材之間的局部表面會(huì)開始發(fā)生局部放電。由于線材絕緣皮不會(huì)立刻劣化 / 損壞,持續(xù)使用一段時(shí)間后,絕緣皮會(huì)逐步碳化,*終導(dǎo)致變壓器一次側(cè)與二次側(cè)短路。
光耦合器與數(shù)字隔離器被應(yīng)用于各類需要隔離的環(huán)境,當(dāng)隔離的高電壓跨越含有氣泡或裂縫的絕緣材料時(shí),氣泡或裂縫上可能會(huì)產(chǎn)生足夠高的分壓,從而引發(fā)局部放電。經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間劣化后,絕緣材料會(huì)因絕緣失效導(dǎo)致電壓隔離失效。

測(cè)量技術(shù)
局部放電器校正
局部放電測(cè)試設(shè)備用于測(cè)量與判定微小放電量,其信號(hào)極其微弱且快速,同時(shí)受待測(cè)物實(shí)際容量影響。因此,局部放電量測(cè)設(shè)備必須經(jīng)過*校正,才能確保局部放電發(fā)生時(shí),高頻放電信號(hào)能夠被*測(cè)量。

高壓模塊(A195005 & A195004)
高壓模塊具備高精度與大范圍的局部放電測(cè)量能力,可根據(jù)待測(cè)物的電容值與 PD 放電量測(cè)量需求選擇不同模塊:
A195005 具有四個(gè) PD 量測(cè)檔位,PD 測(cè)量范圍為 1pC - 6000pC
A195004 具有兩個(gè) PD 量測(cè)檔位,PD 測(cè)量范圍為 1pC - 2000pC
測(cè)試結(jié)束后,主機(jī)會(huì)將測(cè)量數(shù)據(jù)與結(jié)果直觀地顯示在屏幕上,便于對(duì)放電量進(jìn)行判定與分析。


A195004 的外型采用等腰梯形設(shè)計(jì),專為自動(dòng)機(jī)臺(tái)應(yīng)用打造,可使需要多臺(tái)測(cè)試的自動(dòng)機(jī)臺(tái)將高壓模塊進(jìn)行扇形排列,優(yōu)化空間利用率。此外,插入式連接設(shè)計(jì)讓 A195004 更接近測(cè)試座,縮短測(cè)試線長(zhǎng)度(降低線材對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響),且高壓模塊插拔便捷,提升了產(chǎn)品維護(hù)與維修的便利性。

抗干擾設(shè)計(jì)
高壓模塊(A195004 & A195005)用于測(cè)量元件在測(cè)試過程中產(chǎn)生的微小放電量。由于局部放電的放電速度極快(納秒級(jí),nS)、頻率高、信號(hào)微弱,周圍環(huán)境(如機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)、電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)或其他噪聲)中的高頻噪聲(如電磁波)容易干擾微小放電量的測(cè)量,造成測(cè)量誤差,進(jìn)而影響 PD 的測(cè)量與判定。降低并避免局部放電量測(cè)回路受到外在環(huán)境干擾,是生產(chǎn)業(yè)者與自動(dòng)化設(shè)備商面臨的重要課題,也是局部放電測(cè)試儀設(shè)計(jì)技術(shù)的一大挑戰(zhàn)。
鑒于測(cè)試環(huán)境中可能存在不可避免的高頻噪聲,儀器采用測(cè)試 & 測(cè)量與操作 & 顯示分離式設(shè)計(jì),將高壓模塊(負(fù)責(zé)測(cè)試 & 測(cè)量)與主機(jī)(負(fù)責(zé)操作 & 顯示)分開。高壓模塊可盡可能靠近待測(cè)物進(jìn)行測(cè)量,減少測(cè)試線受環(huán)境高頻噪聲的干擾;測(cè)量線路采用信號(hào)隔離設(shè)計(jì),使測(cè)量回路盡可能*短。此外,低壓回路端使用同軸電纜線隔離環(huán)境噪聲,避免測(cè)量回路受干擾;同時(shí)采用金屬遮罩將待測(cè)物與環(huán)境噪聲隔離,確保測(cè)量精度。
產(chǎn)品應(yīng)用
相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)特定產(chǎn)品要求 / 建議執(zhí)行局部放電測(cè)試(Partial Discharge Test),并提供局部放電測(cè)試電壓(Vpd)的參考公式。局部放電測(cè)試通常建議 / 要求將*大額定隔離工作電壓或*大額定重復(fù)峰值隔離電壓(取兩者中較高值)乘以 1.875 倍,作為局部放電測(cè)試電壓。
局部放電測(cè)試電壓(Vpd)的計(jì)算公式
Vpd = F × VIOWM(當(dāng) VIOWM > VIORM 時(shí))
F:加嚴(yán)常數(shù)
常規(guī)測(cè)試:F = 1.875
樣品測(cè)試 & 壽命測(cè)試:F = 1.6
耐久性測(cè)試后的測(cè)試:F = 1.2
VIOWM:*大額定隔離工作電壓
VIORM:*大額定重復(fù)峰值隔離電壓
三種符合標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試
Chroma 19501 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)要求的三種測(cè)試方法(1、2 與 3),設(shè)定畫面下方會(huì)顯示示意圖,輔助用戶設(shè)定測(cè)試參數(shù)與選擇測(cè)試方法,方便用戶快速上手。

三段電壓測(cè)試方法
為滿足制造商在符合標(biāo)準(zhǔn)局部放電測(cè)試要求的同時(shí),可根據(jù)自身品質(zhì)要求采用高于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電壓執(zhí)行局部放電測(cè)試,以提升產(chǎn)品品質(zhì),Chroma 19501 新增了三段電壓測(cè)試方法(4)與(5)。該測(cè)試方法的流程為:行耐電壓測(cè)試(*段電壓測(cè)試),再使用高于標(biāo)準(zhǔn)局部放電測(cè)試要求的電壓執(zhí)行局部放電測(cè)試(第二段電壓測(cè)試),*后使用符合標(biāo)準(zhǔn)要求的局部放電測(cè)試電壓(Vpd)執(zhí)行局部放電測(cè)試(第三段電壓測(cè)試)。此方法既能滿足標(biāo)準(zhǔn)要求,又能提升產(chǎn)品品質(zhì)。

高頻電壓的應(yīng)用(* A195004)
高頻電壓具有三大優(yōu)點(diǎn):
提高輸出電壓頻率可增加電壓峰值出現(xiàn)的頻率,縮短 PD 測(cè)試時(shí)間,提升產(chǎn)能;
待測(cè)物的原始絕緣狀態(tài)可能存在不穩(wěn)定因素(如濕氣、灰塵、毛邊等),導(dǎo)致局部放電起始電壓(PDIV)結(jié)果不穩(wěn)定。為獲得更穩(wěn)定的 PDIV 結(jié)果,可先使用較高頻率的高電壓對(duì)待測(cè)物的不穩(wěn)定因素進(jìn)行預(yù)處理 —— 較高電壓可消除不穩(wěn)定因素,較高頻率可縮短消除時(shí)間;
需分析待測(cè)物絕緣品質(zhì)弱點(diǎn)或?qū)ふ胰觞c(diǎn)位置時(shí),可使用較高頻率的高電壓加速待測(cè)物絕緣劣化 —— 較高電壓(>PDIV)可使絕緣逐漸劣化,較高頻率可縮短劣化時(shí)間。

PD 不良次數(shù)判定功能
PD 發(fā)生時(shí)的信號(hào)極其微弱,易受環(huán)境高頻噪聲干擾。PD 不良次數(shù)判定功能的目的是降低外部噪聲干擾導(dǎo)致的測(cè)試結(jié)果誤判,確認(rèn)局部放電確實(shí)發(fā)生于待測(cè)物上,而非環(huán)境的一次性干擾。待測(cè)物上的局部放電通常會(huì)隨電壓周期性變化而發(fā)生周期性放電,因此相較于環(huán)境高頻噪聲,局部放電更為穩(wěn)定。
Chroma 19501 以測(cè)試電壓的每個(gè)半波周期為單位,計(jì)數(shù) PD 持續(xù)發(fā)生且超過電荷量上限(Q Max)的次數(shù)。每連續(xù) 5 個(gè)半波周期內(nèi),必須發(fā)生超過 2 次電荷量上限(Q Max)的 PD 放電,計(jì)數(shù)才會(huì)累加 —— 即*次發(fā)生超過電荷量上限的 PD 放電后,4 個(gè)半波周期內(nèi)(2 個(gè)完整周期)需再發(fā)生 1 次,計(jì)數(shù)才累加;否則計(jì)數(shù)歸零并重新開始。當(dāng)計(jì)數(shù)達(dá)到 / 超過設(shè)定的次數(shù)上限,判定為不良。

HVCC 高壓接觸檢查功能
對(duì)高絕緣能力的元件,在高壓輸出前進(jìn)行接觸檢查至關(guān)重要。Chroma 獨(dú)特的高壓接觸檢查功能(High Voltage Contact Check: HVCC)采用開爾文(Kelvin)測(cè)試方法,在高壓輸出前對(duì)高絕緣能力元件進(jìn)行接觸檢查,以提升測(cè)試可靠性與生產(chǎn)效率,

Model 19501 局部放電測(cè)試器訂購信息

產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品名稱
19501局部放電測(cè)試儀
19501S局部放電測(cè)試儀(2024/Q4 上市)
A195001PD 校正器
A195005高壓模塊
A195004高壓模塊


Model 19501 局部放電測(cè)試器產(chǎn)品規(guī)格  

項(xiàng)目規(guī)格
測(cè)試計(jì)時(shí)器(注 1)測(cè)試時(shí)間:0.3 - 99.9 秒,步長(zhǎng) 0.1 秒,精度:±(設(shè)定值的 0.2% + 10 毫秒);
上升 / 下降時(shí)間:0.1 - 9.9 秒,步長(zhǎng) 0.1 秒;
PD 偵測(cè)延遲時(shí)間:0 - 9.9 秒,步長(zhǎng) 0.1 秒
HANDLER 接口36 針 HANDLER 連接器;
所有輸入 / 輸出均為負(fù)邏輯,且為光隔離集電極開路信號(hào)(使用普通速度光耦合器);
所有輸出必須通過 10kΩ 電阻上拉至 +VEXT(外部電源);
所有輸入光二極管必須串聯(lián)限流電路(+3V 至 +26V 電壓下,電流為 10mA ± 4mA)
遠(yuǎn)程接口RS-232:編程語言為 SCPI;
LAN:支持 10M/100M 以太網(wǎng)

USB 閃存盤(A 型):可存儲(chǔ)測(cè)試參數(shù)、結(jié)果及波形(BMP 格式,擴(kuò)展功能);
可存儲(chǔ) / 調(diào)用一組測(cè)試程序及參數(shù);
支持*大 32GB 的 USB 閃存盤

操作范圍:0℃ - 45℃,相對(duì)濕度 15% - 95%(≤ 40℃ 時(shí)無冷凝);
電源要求:100Vac - 240Vac,50/60Hz;
尺寸(寬 × 高 × 深):主機(jī) 428×176×500mm / 16.9×6.9×19.7 英寸;
重量:20.5kg / 45.2 磅
注 1:計(jì)時(shí)器設(shè)定僅適用于單臺(tái)主機(jī)。
高壓模塊規(guī)格(HV Module: A195005 & A195004)
項(xiàng)目A195005A195004
交流輸出電壓電壓范圍:0.10kV - 5.00kV,步長(zhǎng) 0.01kV;電壓范圍:0.10kV - 10.00kV,步長(zhǎng) 0.01kV(50/60Hz);0.1kVac - 5.0kVac(600Hz,注 2);
電壓精度:±(設(shè)定值的 1% + 滿量程的 0.5%);電壓精度:±(設(shè)定值的 1% + 滿量程的 0.5%);
頻率:50Hz、60Hz ± 0.1%,正弦波頻率:50Hz、60Hz、600Hz ± 0.1%,正弦波
測(cè)量功能電壓顯示精度:±(讀數(shù)的 1% + 滿量程的 0.5%),分辨率 10V;電壓顯示精度:±(讀數(shù)的 1% + 滿量程的 0.5%),分辨率 10V;
漏電流表:300.0µA 量程(0.1µA - 300.0µA)、3000µA 量程(1µA - 3000µA);漏電流表:300µA 量程(0.1µA - 300.0µA)、3mA 量程(0.001mA - 3.000mA)、10mA 量程(0.01mA - 10.00mA);
精度:±(讀數(shù)的 1% + 滿量程的 2%);精度:±(讀數(shù)的 1% + 滿量程的 2%);
閃絡(luò)偵測(cè):無閃絡(luò)偵測(cè):0.1mA - 20.0mA,分辨率 0.1mA
局部放電偵測(cè)器量程(注 3):量程(注 3):
量程 1:10pC - 6000pC,分辨率 1pC;量程 1:10pC - 2000pC,分辨率 1pC;
量程 2:5pC - 3000pC,分辨率 1pC;量程 2:1pC - 200pC,分辨率 0.1pC;
量程 3:2pC - 600pC,分辨率 0.1pC;精度(注 4):±(讀數(shù)的 1% + 滿量程的 0.5%);
量程 4:1pC - 300pC,分辨率 0.1pC;*大負(fù)載電容:100pF(典型值);
精度(注 4):±(讀數(shù)的 1.5% + 滿量程的 1.5%);濾波器類型:窄帶
*大負(fù)載電容:3nF(典型值);
濾波器類型:寬帶
一般規(guī)格工作環(huán)境:18℃ - 28℃(64℉ - 82℉),相對(duì)濕度 ≤ 70%;工作環(huán)境:18℃ - 28℃(64℉ - 82℉),相對(duì)濕度 ≤ 70%;
操作范圍:0℃ - 45℃,相對(duì)濕度 15% - 95%(≤ 40℃ 時(shí)無冷凝);操作范圍:0℃ - 45℃,相對(duì)濕度 15% - 95%(≤ 40℃ 時(shí)無冷凝);
存儲(chǔ)范圍:-10℃ - 50℃,相對(duì)濕度 ≤ 80%;存儲(chǔ)范圍:-10℃ - 50℃,相對(duì)濕度 ≤ 80%;
尺寸(寬 × 高 × 深):388×281.1×272mm / 15.3×11.1×10.7 英寸;尺寸(寬 × 高 × 深):無數(shù)據(jù)(NA);
重量:約 15.0kg重量:約 20.0kg
注 2:600Hz 頻率下,電壓范圍為 0.1kVac - 5.0kVac。注 3:PD 測(cè)量量程由*大負(fù)載電容決定,可用 PD 測(cè)量量程會(huì)隨電容變化。注 4:PD 測(cè)量采用符合 IEC60270 標(biāo)準(zhǔn)的校正脈沖發(fā)生器進(jìn)行驗(yàn)證,規(guī)格中的測(cè)量精度定義為校正發(fā)生器的相對(duì)誤差。
PD 校正器規(guī)格(Model: A195001)
項(xiàng)目規(guī)格
量程100pC 量程:1.0、2.0、5.0、10.0、20.0、50.0、100.0pC,注入電容:典型值 1pF;
2000pC 量程:20、50、100、200、500、1000、2000pC,注入電容:典型值 20pF
極性正、負(fù)
精度±(讀數(shù)的 3% + 0.5pC)
上升時(shí)間<50nS
脈沖重復(fù)頻率100Hz
操作范圍0℃ - 45℃,相對(duì)濕度 15% - 95%(≤ 40℃ 時(shí)無冷凝)
存儲(chǔ)范圍-10℃ - 50℃,相對(duì)濕度 ≤ 80%
電源供應(yīng)9V 電池
電流消耗*大 50mA
尺寸(寬 × 高 × 深)65×150×36.5mm / 2.56×5.91×1.44 英寸
重量約 500g


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